Från Wikinews, den fria nyhetstjänsten
|
28 april 2008
 SVERIGE: Vid Lunds Universitet har en transistor utvecklats med en ny typ av nanoteknik.
Denna transistor sägs vara 50 gånger mer energieffektiv än dagens transistorer och därmed skulle den ge längre batterilivslängd i trådlösa applikationer. Transistorn är tillverkad av halvledarmaterialet indiumarsenid (InAs). I detta material rör sig elektronerna snabbare jämfört med kisel som idag är det mest vanliga materialet som används i transistorer. Anledningen till denna fördel ligger i materialets låga bandgap på endast 0.35 eV vilket är 3 gånger lägre än för kisel (1.11eV), samt dess högre mobilitet.
De transistorer som forskarna i Lund hittills presenterat är av samma storleksordning, nämligen 50 nm, som för kommerciellt tillverkade state-of-the-art transistorer i kisel. Dessa har idag ett styre (engelska gate) som är 45 nm långt, t.ex. Intels processor Penryn som innehåller 410 million transistorer och har en effektförbrukning på endast 35 Watt (85 nWatt per transistor). Kiseltransistorer vid dagens forskningsfront är av storleksordningen 5-10 nm.
Forskarna i Lund hoppas på att kunna utveckla transistorer i närtid som kan arbeta vid 60 GHz. Som jämförelse kan nämnas att transistorer av kisel-germanium med en arbetsfrekvens på 500 GHz har demonstrerats av ett forskarteam vid Georgia Tech och IBM i USA.
Forskarna vid Lunds Universitet fick nyligen ett anslag på 24 miljoner kronor från Stiftelsen för Strategisk Forskning för att under fem år utveckla kretsar med denna nya trådlösa nanoteknologi.
|
|
|
Claes Thelander, et al., "Vertical Enhancement-Mode InAs Nanowire Field-Effect Transistor With 50-nm Wrap Gate, IEEE Electron Device Letters, volume 29, Issue 3, 2008, page 206 – 208". http://ieeexplore.ieee.org, Mars 2008.
- Svenskspråkiga Wikipedia har mer information om Nanoteknik
Publiceringar 28 april • april 2008 • kvartal 2 • vecka 18
