Ny transistor utvecklad med nanoteknik

Från Wikinews, den fria nyhetstjänsten
Hoppa till navigering Hoppa till sök

28 april 2008



Flag of Sweden.svg SVERIGE: Vid Lunds Universitet har en transistor utvecklats med en ny typ av nanoteknik.

Denna transistor sägs vara 50 gånger mer energieffektiv än dagens transistorer och därmed skulle den ge längre batterilivslängd i trådlösa applikationer. Transistorn är tillverkad av halvledarmaterialet indiumarsenid (InAs). I detta material rör sig elektronerna snabbare jämfört med kisel som idag är det mest vanliga materialet som används i transistorer. Anledningen till denna fördel ligger i materialets låga bandgap på endast 0.35 eV vilket är 3 gånger lägre än för kisel (1.11eV), samt dess högre mobilitet.

De transistorer som forskarna i Lund hittills presenterat är av samma storleksordning, nämligen 50 nm, som för kommerciellt tillverkade state-of-the-art transistorer i kisel. Dessa har idag ett styre (engelska gate) som är 45 nm långt, t.ex. Intels processor Penryn som innehåller 410 million transistorer och har en effektförbrukning på endast 35 Watt (85 nWatt per transistor). Kiseltransistorer vid dagens forskningsfront är av storleksordningen 5-10 nm.

Forskarna i Lund hoppas på att kunna utveckla transistorer i närtid som kan arbeta vid 60 GHz. Som jämförelse kan nämnas att transistorer av kisel-germanium med en arbetsfrekvens på 500 GHz har demonstrerats av ett forskarteam vid Georgia Tech och IBM i USA.

Forskarna vid Lunds Universitet fick nyligen ett anslag på 24 miljoner kronor från Stiftelsen för Strategisk Forskning för att under fem år utveckla kretsar med denna nya trådlösa nanoteknologi.


Fler nyheter

10 mars 2013: Prinsessan Lilian har avlidit
28 januari 2013: Beatrix av Nederländerna abdikerar
15 januari 2013: Seriekrock nordost om Helsingborg
14 december 2012: Skottdrama i amerikansk lågstadieskola
4 augusti 2012: Serena Williams till final i olympiska spelen 2012
6 maj 2012: Carl Johan Bernadotte är död
29 mars 2012: Tolgfors avgår
15 mars 2012: Norskt herkulesplan försvunnet: Befaras ha störtat
24 februari 2012: Namn och titel fastställd - Det blev en Estelle
23 februari 2012: En tronföljare är född


Referenser[redigera]

Claes Thelander, et al., "Vertical Enhancement-Mode InAs Nanowire Field-Effect Transistor With 50-nm Wrap Gate, IEEE Electron Device Letters, volume 29, Issue 3, 2008, page 206 – 208". http://ieeexplore.ieee.org, Mars 2008.

Läs mer[redigera]

  • Svenskspråkiga Wikipedia har mer information om Nanoteknik


Publiceringar 28 aprilapril 2008kvartal 2vecka 18